在低壓配電網絡中，運行著大量的感性無功負荷需要進行補償，否則，將使網絡損耗增加，電壓質量惡化。為了提高供用電質量，降低線損與節能，以及充分利用設備的容量，以自愈式低電壓并聯電容器為主要元件，接觸器為投切開關的低壓電容無功補償裝置得到廣泛的應用。這些裝置一般是將電容器分為若干組。根據控制物理量的變化，進行電容器的投切。但是，若無功負荷經常波動變化，而裝置又需要將cosφ控制在較高水平時，電容器的投切，往往就比較頻繁，從而可能給電容器造成危害，使其早期損壞。
三點建議
1、以接觸器為投切開關的低壓電容無功補償裝置，不宜頻繁進行電容器的投切。否則， 投切時所產生的過電壓和沖擊電流將對自愈式電容器造成危害，使容量下降，tgδ增大 及絕緣老化加速等，最終使電容器早期損壞。
2、建議適當延長投切時間間隔，實行循環投切，減少投切次數，使這滿足GB/12747-1991的有關要求。
3、為限制沖擊電流對噴金層與金屬化層接觸質量的損害，必須采取相應的技術措施，如串入小電感或采用專用接觸器等，建議將沖擊電流的峰值限制在20In以內。
希拓電氣晶閘管投切模塊(三相)技術源自德國，我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上，研制出了擁有自主知識產權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發，電流過零斷開，真正實現投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時間小于18ms，很好地取代傳統投切裝置。
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