一、 可控硅開關特點
一般用于TSC技術的低壓動態補償用的可控硅開關都采用大功率晶閘管反并聯封裝，其額定電流可達數百安培，反向耐壓可達1800v以上。由于其具有電力電子器件的特性，因此在通過檢測電壓過零點時給可控硅觸發信號實現無觸點、無涌流投切，并且響應時間快，在半個波形周期內就能實現觸發導通。由于可控硅屬半導體器件，通態電流比較大時，會有一定的發熱。
復合開關因交流接觸器與可控硅的相互制約導致無法實現較大的通態電流，反向耐壓只能達到1600v并且投切過程復雜，可控硅開斷頻繁，容易被擊穿，造成故障率較高，一般用于農網臺區的小容量補償。
首先從運行維護上考慮，通常用三只單相的可控硅固定在鋁合金強制風冷散熱模塊上，后期維護方便，如出現某只可控硅損壞可快速更換，其他可控硅可繼續使用。由于復合開關采用交流接觸器與可控硅小形三端封裝，如內部任意部件出現故障，只能將整體更換，后期維護費用高。
從造價上考慮，假設某一套補償裝置容量360kvar，如采用復合開關，其單組最大容量為30kvar，也就是該套裝置需要分12個支路，而選用可控硅作為投切開關，其最大單組容量為90kvar，如按照30+60+90+90+90分組可在實現同樣補償效果的前提下減少7個支路，因此減小了一定的造價。
從安裝上考慮，在配電抗器的前提下，以1000*1000*2200的GCK柜體為例，采用復合開關安裝12支路，將需要兩面柜體。如采用可控硅作為投切開關只需一面柜體即可。
四、 希拓電氣可控硅開關
STT標準型晶閘管投切模塊技術源自德國，我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上，研制出了擁有自主知識產權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發，電流過零斷開，真正實現投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時間小于15ms，很好地取代傳統投切裝置。
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