TSC型無功補償技術
電容柜
一般TSC型電容補償裝置都是由若干電容補償單元組成,因此可以組合成不同補償容量,滿足系統無功變化。
希拓電氣可控硅投切開關(共補)技術源自德國,我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上,研制出了擁有自主知識產權的新一代可控硅投切開關。開關主要由雙向可控硅,觸發電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發,電流過零斷開,真正實現投切無涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應時間小于18ms,很好地取代傳統投切裝置。