一、過(guo)零(ling)投(tou)切(qie)就(jiu)是(shi):電(dian)壓過(guo)零(ling)時(shi)投(tou)入(ru),電(dian)流過(guo)零(ling)時(shi)切(qie)除。
電壓過零投入:在電源電壓與電容器電壓相等的瞬間將電容器接入系統,這樣就不會產生涌流。
電(dian)(dian)(dian)流(liu)過零切除:電(dian)(dian)(dian)容器的電(dian)(dian)(dian)壓與(yu)電(dian)(dian)(dian)流(liu)有90度(du)的相(xiang)位差,因此在某相(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓的峰值時刻(某相(xiang)電(dian)(dian)(dian)流(liu)為零)斷開,就可以(yi)實現電(dian)(dian)(dian)容器電(dian)(dian)(dian)流(liu)過零切除。從而實現開關接點的無電(dian)(dian)(dian)弧分斷。
2,電流(liu)(liu)過(guo)零(ling)點切(qie)除,電容器在進行無功補償時,長時間大(da)電流(liu)(liu)通過(guo)。在過(guo)零(ling)點切(qie)除不會造成拉弧等各種因大(da)電流(liu)(liu)造成的危害(hai)。
三、通過什么設備達到過零: 1、復合開關2、晶閘管(可控硅開關)3、磁(ci)保持復合開關(guan)。
復合開關的基本工作原理是將可控硅開關與(yu)磁保持(chi)繼電(dian)(dian)器(qi)并接(jie)(jie),實現電(dian)(dian)壓過(guo)零(ling)(ling)(ling)導通和電(dian)(dian)流(liu)過(guo)零(ling)(ling)(ling)切斷,使復(fu)合開(kai)(kai)關(guan)(guan)在(zai)接(jie)(jie)通和斷開(kai)(kai)的瞬間具有可控(kong)硅開(kai)(kai)關(guan)(guan)的優點(dian),而在(zai)正(zheng)常接(jie)(jie)通期間又具有接(jie)(jie)觸器(qi)開(kai)(kai)關(guan)(guan)無功耗的優點(dian)。其實現方法是(shi):投入時是(shi)在(zai)電(dian)(dian)壓過(guo)零(ling)(ling)(ling)瞬間可控(kong)硅先過(guo)零(ling)(ling)(ling)觸發,穩定后再將(jiang)磁保持(chi)繼電(dian)(dian)器(qi)吸合導通;而切出時是(shi)先將(jiang)磁保持(chi)繼電(dian)(dian)器(qi)斷開(kai)(kai),可控(kong)硅延(yan)時過(guo)零(ling)(ling)(ling)斷開(kai)(kai),從而實現電(dian)(dian)流(liu)過(guo)零(ling)(ling)(ling)切除(chu)。
四、無功補償(chang)的發(fa)展趨勢:
現在很多電(dian)力儀器都對電(dian)壓要(yao)求(qiu)很高(gao),無(wu)功補(bu)償的趨勢就是過零(ling)投切。
晶閘管投(tou)(tou)切模塊(三相(xiang))技術(shu)(shu)源自德(de)(de)國,我司在充分消化吸收德(de)(de)國技術(shu)(shu)和先進制造工藝的基礎(chu)上,研制出了擁有自主(zhu)知識(shi)產權的新一代晶閘管投(tou)(tou)切模塊。模塊主(zhu)要由雙向(xiang)晶閘管,觸(chu)發(fa)電(dian)(dian)路,吸收電(dian)(dian)路,保護電(dian)(dian)路,智能型(xing)散熱片組成。自主(zhu)專利技術(shu)(shu)保證(zheng)電(dian)(dian)壓過(guo)零觸(chu)發(fa),電(dian)(dian)流(liu)過(guo)零斷開(kai),真正(zheng)實現投(tou)(tou)切無涌流(liu),跟隨(sui)速度快,有效補償沖擊性負(fu)荷(he),平(ping)均響應時間小(xiao)于(yu)18ms,完美取代傳統投(tou)(tou)切裝置。