圖1 可控硅基本伏安特性
（1）反向特(te)性(xing)
當控制極開路，陽極加上反向電壓時（詳見圖2），J2結正偏，但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時，可控硅會發生永久性反向。
（2）正向(xiang)特性
當控制極開路，陽極上加上正向電壓時（見圖3），J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，圖3的特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓
由(you)(you)于電(dian)(dian)壓升高到J2結(jie)(jie)的雪崩(beng)擊(ji)穿電(dian)(dian)壓后，J2結(jie)(jie)發生雪崩(beng)倍(bei)增(zeng)效(xiao)應，在結(jie)(jie)區(qu)產生大量的電(dian)(dian)子(zi)和空(kong)穴(xue)，電(dian)(dian)子(zi)時(shi)入(ru)(ru)N1區(qu)，空(kong)穴(xue)時(shi)入(ru)(ru)P2區(qu)。進(jin)入(ru)(ru)N1區(qu)的電(dian)(dian)子(zi)與(yu)由(you)(you)P1區(qu)通過(guo)(guo)J1結(jie)(jie)注(zhu)(zhu)入(ru)(ru)N1區(qu)的空(kong)穴(xue)復合(he)，同樣(yang)，進(jin)入(ru)(ru)P2區(qu)的空(kong)穴(xue)與(yu)由(you)(you)N2區(qu)通過(guo)(guo)J3結(jie)(jie)注(zhu)(zhu)入(ru)(ru)P2區(qu)的電(dian)(dian)子(zi)復合(he)，雪崩(beng)擊(ji)穿，進(jin)入(ru)(ru)N1區(qu)的電(dian)(dian)子(zi)與(yu)進(jin)入(ru)(ru)P2區(qu)的空(kong)穴(xue)各自不能全部復合(he)掉，這樣(yang)，在N1區(qu)就(jiu)有(you)電(dian)(dian)子(zi)積累，在P2區(qu)就(jiu)有(you)空(kong)穴(xue)積累，結(jie)(jie)果(guo)使P2區(qu)的電(dian)(dian)位升高，N1區(qu)的電(dian)(dian)位下降，J2結(jie)(jie)變成正(zheng)偏，只要(yao)電(dian)(dian)流稍增(zeng)加，電(dian)(dian)壓便(bian)迅速下降，出(chu)現所謂負阻特性，見圖3的虛(xu)線AB段。
這時(shi)J1、J2、J3三個(ge)結(jie)均處于(yu)正(zheng)(zheng)偏，可(ke)控硅便進入(ru)正(zheng)(zheng)向(xiang)導(dao)電狀態---通態，此時(shi)，它的特(te)性(xing)與普通的PN結(jie)正(zheng)(zheng)向(xiang)特(te)性(xing)相似，（可(ke)見圖2中(zhong)的BC段）
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