可控硅開關和復合開關是現在無功補償裝置主要的投切元件，兩者到底區別在哪里呢？
一、可控硅開關
可控硅開關也叫調節器，采用大功率反并聯晶閘管模塊、隔離電路、觸發電路、保護電路及散熱裝置等元件組成。容易受涌流的沖擊而損壞，因此可控硅必須過零觸發，當可控硅兩端電壓為零的瞬間發出觸發信號。過零觸發技術可以實現無涌流投入電容器，另外由于可控硅的觸發次數沒有限制，可以實現準動態補償（響應時間在毫秒級）。可控硅導通電壓降約為1V左右，損耗很大（以每相額定電流為60A為例，則三相三控可控硅額定導通損耗為60×1×3=180W），必須加裝大面積的散熱片和冷卻風機。
晶閘管對電壓變化率（dv/dt）非常敏感，遇到操作過電壓及雷擊等電壓突變的情況很容易誤導通而被涌流損壞，即使安裝避雷器也無濟于事，因為避雷器只能限制電壓的峰值，并不能降低電壓變化率。可控硅開關反應速度快，重復投切時間短適用于負荷（軋機、點焊機、行吊等）頻繁變化的場合。
（可控硅開關圖）
二、復合開關
復合開關，把磁保持和可控硅開關二者巧妙地結合來，優勢互補，發揮磁保持繼電器運行功耗小和可控硅開關過零投切的優點，是一個較為理想的投切元件。這種投切開關不但抑制了涌流、避免了拉弧而且功耗較低，不需要加裝散熱器和冷卻風扇。
要把二(er)者(zhe)結(jie)合(he)起來的(de)(de)關(guan)(guan)鍵是相(xiang)互(hu)之間(jian)的(de)(de)時(shi)序配合(he)必須默契(qi)，可控(kong)硅(gui)開關(guan)(guan)負(fu)責控(kong)制電容(rong)器的(de)(de)投(tou)入(ru)和切除，磁保(bao)持繼(ji)電器負(fu)責保(bao)持電容(rong)器投(tou)入(ru)后(hou)(hou)的(de)(de)接(jie)通，當磁保(bao)持投(tou)入(ru)后(hou)(hou)可控(kong)硅(gui)開關(guan)(guan)就立即退出運(yun)行，這樣(yang)就避(bi)免了可控(kong)硅(gui)元件的(de)(de)發(fa)熱。復合(he)開關(guan)(guan)適用(yong)(yong)于(yu)(yu)負(fu)荷變化(hua)不快(kuai)的(de)(de)城網、農網、房地(di)產等場合(he)。現(xian)已(yi)批量(liang)用(yong)(yong)于(yu)(yu)山東電網戶外JP柜中。
三、區別
根據以上對(dui)比可(ke)以發現兩者區(qu)別如下：
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開關名(ming)稱 |
工作(zuo)原理 |
主要優點 |
主(zhu)要缺點 |
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可控硅(gui) |
可控(kong)硅過零(ling)投(tou)切，可控(kong)硅運(yun)行。 |
投(tou)切時(shi)間≤20ms，涌流小于1.5倍，無(wu)過電壓(ya)，重復(fu)投(tou)切時(shi)間≤50ms，具有過溫，缺相保護功能，適用于負荷變化比較(jiao)快的場合(he)。 |
功(gong)耗大，發熱(re)嚴重，易損壞，產生諧波，價格高。 |
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復合開關 |
可控硅過零(ling)投切，磁保持繼(ji)電器運行。 |
投切(qie)時間≤100ms，涌流小(xiao)于(yu)2倍(bei)，無過電(dian)壓，導(dao)通內阻小(xiao)，無諧波(bo)，無功(gong)耗，具(ju)有缺相，缺載，過壓保(bao)護功(gong)能，價(jia)格便宜，適(shi)用于(yu)負(fu)荷變化(hua)穩定的場合。 |
不宜頻繁(fan)投切，不宜導(dao)通后立即斷(duan)開(kai)。 |
（本文由(you)全球(qiu)電氣資源電氣工程師徐(xu)工原(yuan)創）
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